BTS3118NHUMA1 vs BSL606SNH6327XTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BTS3118NHUMA1 por Infineon y BSL606SNH6327XTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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BTS3118NHUMA1 BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 - 2.17A Smart Low-Side Switch | Infineon

BTS3118NHUMA1 ✓ Activo
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BSL606SNH6327XTSA1 BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 - 60V N-Channel OptiMOS3 MOSFET | Infineon

BSL606SNH6327XTSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro BTS3118NHUMA1 BSL606SNH6327XTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,19
FET Type N-Channel —
Switch Type Low-Side Power Switch —
Configuración de salida 1:1 —
Número de salidas 1 —
Continuous Drain Current 2.17 A —
Operating Voltage (Vbb) 6 V to 18 V nominal (overvoltage protected) —
On-State Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 25C] —
Input Logic Level Logic-level (3.3 V / 5 V MCU compatible) —
Input Protection ESD protected —
Thermal Protection Thermal shutdown with latch —
Fault Protection Overload, short-circuit, overvoltage, current limit —
Encapsulado PG-SOT223-4 PG-TSOP6-6 (6-pin, SOT-23-6 compatible)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento -40 C to +150 C junction —
RoHS Compliance Green product, RoHS compliant —
Process Technology Smart SIPMOS (vertical N-channel) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET (Enhancement Mode)
Technology — OptiMOS3 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 4.5 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 60 mOhm (max, VGS = 10 V)
Total Power Dissipation (PD) at Ta — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Total Gate Charge (Qg) — 5.6 nC (max)
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (Tj)
Qualification — AEC-Q101 (Automotive)
Estado RoHS — Compliant (Pb-free plating)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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