CY14V104LA-BA45XIT vs CY14V104LA Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von CY14V104LA-BA45XIT von Infineon und CY14V104LA von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter CY14V104LA-BA45XIT CY14V104LA
Marke Infineon Infineon
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,60 $10,85
Speichertyp nvSRAM (Non-Volatile SRAM) Non-Volatile SRAM (nvSRAM)
Speichergröße 4 Mbit —
Speicherorganisation 512K x 8 —
Schnittstelle Parallel Parallel (asynchronous SRAM-compatible)
Access Time 45 ns 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45)
Supply Voltage Range 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V) —
Max Operating Voltage 3.6 V —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm)
Betriebstemperatur -40C to +85C -40 C to +85 C (industrial)
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM mode) Unlimited (SRAM side)
Automotive Qualified No (industrial grade) —
Memory Category NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip —
Density 4096 kbits 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16)
Number of Words 128 k —
Bits per Word 8 bits —
RoHS-Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Operating Voltage — 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max)
Bus Width — x8 / x16 selectable (BYTE pin)
STORE Time (typical) — [DATA_NEEDED: STORE time in ms]
RECALL Time (typical) — [DATA_NEEDED: RECALL time in ms]
Active Supply Current (Icc) — [DATA_NEEDED: Icc active mA]
Standby Current (Isb) — [DATA_NEEDED: Isb uA]
Hardware STORE Pin — HSB (active low)
Auto STORE on VCC Drop — Yes (integrated VCc monitor)
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Datenblätter & Ressourcen

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