CY14V104LA-BA45XIT vs CY14V104LA 비교
다음의 상세 나란히 비교: CY14V104LA-BA45XIT 제조: Infineon 및 CY14V104LA 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | CY14V104LA-BA45XIT | CY14V104LA |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.60 | $10.85 |
| 메모리 유형 | nvSRAM (Non-Volatile SRAM) | Non-Volatile SRAM (nvSRAM) |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 512K x 8 | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel (asynchronous SRAM-compatible) |
| Access Time | 45 ns | 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45) |
| Supply Voltage Range | 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V) | — |
| Max Operating Voltage | 3.6 V | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) | 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm) |
| 동작 온도 | -40C to +85C | -40 C to +85 C (industrial) |
| Read/Write Endurance | Unlimited (SRAM mode) | Unlimited (SRAM side) |
| Automotive Qualified | No (industrial grade) | — |
| Memory Category | NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip | — |
| Density | 4096 kbits | 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) |
| Number of Words | 128 k | — |
| Bits per Word | 8 bits | — |
| RoHS 상태 | RoHS Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Operating Voltage | — | 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max) |
| Bus Width | — | x8 / x16 selectable (BYTE pin) |
| STORE Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: STORE time in ms] |
| RECALL Time (typical) | — | [DATA_NEEDED: RECALL time in ms] |
| Active Supply Current (Icc) | — | [DATA_NEEDED: Icc active mA] |
| Standby Current (Isb) | — | [DATA_NEEDED: Isb uA] |
| Hardware STORE Pin | — | HSB (active low) |
| Auto STORE on VCC Drop | — | Yes (integrated VCc monitor) |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |