CY14V104LA-BA45XIT vs CY14V104LA Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de CY14V104LA-BA45XIT par Infineon et CY14V104LA par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre CY14V104LA-BA45XIT CY14V104LA
Marque Infineon Infineon
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,60 $10,85
Type de mémoire nvSRAM (Non-Volatile SRAM) Non-Volatile SRAM (nvSRAM)
Taille de mémoire 4 Mbit —
Organisation de la mémoire 512K x 8 —
Interface Parallel Parallel (asynchronous SRAM-compatible)
Access Time 45 ns 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45)
Supply Voltage Range 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V) —
Max Operating Voltage 3.6 V —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm)
Température de fonctionnement -40C to +85C -40 C to +85 C (industrial)
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM mode) Unlimited (SRAM side)
Automotive Qualified No (industrial grade) —
Memory Category NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip —
Density 4096 kbits 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16)
Number of Words 128 k —
Bits per Word 8 bits —
Statut RoHS RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Operating Voltage — 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max)
Bus Width — x8 / x16 selectable (BYTE pin)
STORE Time (typical) — [DATA_NEEDED: STORE time in ms]
RECALL Time (typical) — [DATA_NEEDED: RECALL time in ms]
Active Supply Current (Icc) — [DATA_NEEDED: Icc active mA]
Standby Current (Isb) — [DATA_NEEDED: Isb uA]
Hardware STORE Pin — HSB (active low)
Auto STORE on VCC Drop — Yes (integrated VCc monitor)
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Fiches techniques et ressources

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