CY14V104LA-BA45XIT vs CY14V104LA Comparação

Comparação detalhada lado a lado de CY14V104LA-BA45XIT por Infineon e CY14V104LA por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro CY14V104LA-BA45XIT CY14V104LA
Marca Infineon Infineon
Categoria EEPROM Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,60 $10,85
Tipo de memória nvSRAM (Non-Volatile SRAM) Non-Volatile SRAM (nvSRAM)
Tamanho da memória 4 Mbit —
Organização da memória 512K x 8 —
Interface Parallel Parallel (asynchronous SRAM-compatible)
Access Time 45 ns 25 ns (BA25) or 45 ns (BA45)
Supply Voltage Range 3 V (min VCC 2.7 V typical class, max 3.6 V) —
Max Operating Voltage 3.6 V —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento 48-FBGA (6 x 10 mm, 1.20 mm height) 48-FBGA (6 x 10 x 1.20 mm)
Temperatura de operação -40C to +85C -40 C to +85 C (industrial)
Read/Write Endurance Unlimited (SRAM mode) Unlimited (SRAM side)
Automotive Qualified No (industrial grade) —
Memory Category NVRAM, NVSRAM, SRAM Chip —
Density 4096 kbits 4 Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16)
Number of Words 128 k —
Bits per Word 8 bits —
Status RoHS RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Operating Voltage — 3.3 V (3.0 V min, 3.6 V max)
Bus Width — x8 / x16 selectable (BYTE pin)
STORE Time (typical) — [DATA_NEEDED: STORE time in ms]
RECALL Time (typical) — [DATA_NEEDED: RECALL time in ms]
Active Supply Current (Icc) — [DATA_NEEDED: Icc active mA]
Standby Current (Isb) — [DATA_NEEDED: Isb uA]
Hardware STORE Pin — HSB (active low)
Auto STORE on VCC Drop — Yes (integrated VCc monitor)
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

Fichas técnicas e recursos

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