FDD8896 vs FDD8896-F085 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von FDD8896 von onsemi und FDD8896-F085 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter FDD8896 FDD8896-F085
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Ende des Lebenszyklus Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,32
Transistortyp N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] 20 V
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench (Trench-Gate)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Gehäuse TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252 (DPAK)
Pin-Anzahl 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single FET —
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) onsemi (Fairchild Semiconductor)
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 94 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 17 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 5.7 mOhm
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 80 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ — 2.0 V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS / Halogen-Free Status — Compliant / Halogen-Free
Lead-Free — Yes
MSL-Level — 1

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