FDD8896 vs FDD8896-F085 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FDD8896 por onsemi e FDD8896-F085 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FDD8896 FDD8896-F085
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Fim de vida Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,32
Tipo de transistor N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] 20 V
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench (Trench-Gate)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Encapsulamento TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252 (DPAK)
Contagem de pinos 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single FET —
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) onsemi (Fairchild Semiconductor)
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 94 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 17 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 5.7 mOhm
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 80 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ — 2.0 V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS / Halogen-Free Status — Compliant / Halogen-Free
Lead-Free — Yes
Nível MSL — 1

Fichas técnicas e recursos

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