FDD8896 vs FDD8896-F085 比較

詳細な並列比較: FDD8896 メーカー: onsemi および FDD8896-F085 メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ FDD8896 FDD8896-F085
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 製造終了 Obsolete
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.32
トランジスタタイプ N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] 20 V
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench (Trench-Gate)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252 (DPAK)
ピン数 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single FET —
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) onsemi (Fairchild Semiconductor)
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 94 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 17 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 5.7 mOhm
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 80 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ — 2.0 V
動作温度範囲 — -55C to +150C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS / Halogen-Free Status — Compliant / Halogen-Free
Lead-Free — Yes
MSLレベル — 1

データシート&リソース

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