FDD8896 vs FDD8896-F085 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок FDD8896 от onsemi и FDD8896-F085 от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

onsemi
FDD8896 FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 - 30V 94A N-Ch PowerTrench MOSFET | onsemi/Fairchild

FDD8896 ✗ Снят с производства

Сравнение характеристик

Параметр FDD8896 FDD8896-F085
Бренд onsemi onsemi
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Снято с производства Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,62 $0,32
Тип транзистора N-Channel PowerTrench MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vdss) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta 17 A —
Continuous Drain Current (Id) at Tc 94 A —
Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) 5.7 mOhm —
Power Dissipation (Pd) at Tc 80 W —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Gate Charge] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: Vgs Max] 20 V
Technology PowerTrench (trench MOSFET) PowerTrench (Trench-Gate)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) TO-252 (DPAK)
Число выводов 3 3 (Gate, Drain, Source)
Configuration Single FET —
Typical Application DC/DC converters, synchronous PWM controllers —
Manufacturer Fairchild Semiconductor (now onsemi) onsemi (Fairchild Semiconductor)
Packing Tape & Reel (T/R) —
FET Type — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 94 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 17 A
Rds(on) Max at Vgs=10V — 5.7 mOhm
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 80 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ — 2.0 V
Диапазон рабочих температур — -55C to +150C (Tj)
Automotive Qualification — AEC-Q101
RoHS / Halogen-Free Status — Compliant / Halogen-Free
Lead-Free — Yes
Уровень MSL — 1

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену