FDD8896 vs FDD8896-F085 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de FDD8896 par onsemi et FDD8896-F085 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | FDD8896 | FDD8896-F085 |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | onsemi |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Fin de vie | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,32 |
| Type de transistor | N-Channel PowerTrench MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 94 A | — |
| Drain-Source On-Resistance (rDS(ON)) | 5.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 80 W | — |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Gate Charge] | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | [DATA_NEEDED: Vgs Max] | 20 V |
| Technology | PowerTrench (trench MOSFET) | PowerTrench (Trench-Gate) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boîtier | TO-252 (DPAK), 3-Pin (2+Tab) | TO-252 (DPAK) |
| Nombre de broches | 3 | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Configuration | Single FET | — |
| Typical Application | DC/DC converters, synchronous PWM controllers | — |
| Manufacturer | Fairchild Semiconductor (now onsemi) | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Packing | Tape & Reel (T/R) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 94 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 17 A |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | — | 5.7 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 80 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) Typ | — | 2.0 V |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55C to +150C (Tj) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS / Halogen-Free Status | — | Compliant / Halogen-Free |
| Lead-Free | — | Yes |
| Niveau MSL | — | 1 |