FDV301N vs 2N7002LT1G So sánh

So sánh chi tiết song song của FDV301N bằng onsemi và 2N7002LT1G bằng onsemi. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

onsemi
2N7002LT1G 2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G - 60V N-Channel MOSFET SOT-23 | onsemi

2N7002LT1G ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số FDV301N 2N7002LT1G
Thương hiệu onsemi onsemi
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 25 V —
Continuous Drain Current (Id) 220 mA (Ta) —
Peak Drain Current 0.5 A —
RDS(on) at VGS = 2.7 V 5 ohm (typical) —
RDS(on) typical 4 ohm —
Power Dissipation (Pd) 350 mW (Ta) —
Technology High cell density DMOS MOSFET
Gate Drive Type Logic level (no bias resistors required) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236)
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Gate-Source Voltage (Vgs) Max [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: input capacitance] —
Thermal Resistance (RthJA) [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Polarity — N-Channel
Channel Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDSS — 60 V
Continuous Drain Current ID — 115 mA (Tc)
Power Dissipation PD — 225 mW (Ta)
Maximum RDS(on) — 7.5 ohm @ VGS = 5 V
Configuration — Single FET
Số lượng chân — 3
Danh mục — Small Signal MOSFET
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Lead Finish — [DATA_NEEDED: lead finish/plating]
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Packaging — [DATA_NEEDED: packaging type]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá