FODM217A vs FODM217AR2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von FODM217A von onsemi und FODM217AR2 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter FODM217A FODM217AR2
Marke onsemi onsemi
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,31 $0,21
Channel Count 1 —
Input Type DC Sensing DC sensing
Ausgangstyp Phototransistor —
Isolation Voltage (VISO) 3,750 VACrms 3750 Vrms (per UL 1577)
Gehäuse 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch)
Anzahl der Pins 4 —
Emitter Material Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED —
Detector Type Silicon Phototransistor —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +110 C —
Forward Voltage (VF) Typical 1.2 V at IF = 10 mA —
Reverse Voltage (VR) Maximum 6 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum 7 V —
Collector Current (IC) Maximum 50 mA —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Part Number — FODM217AR2
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Device Type — Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler
Ausgangskonfiguration — Transistor (phototransistor, single channel)
Number of Channels — 1
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) — 80 V maximum
Kollektorstrom (Ic) — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — 1.2 V typical at IF=10 mA
VCE(SAT) — 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V
Response Time (tr / tf) — 4 us / 3 us typical
Betriebstemperatur — -40 C to +110 C
UL Recognition — UL 1577 recognized (File E90700)
MSL-Level — 1 per IPC/JEDEC J-STD-020

Datenblätter & Ressourcen

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