FODM217A vs FODM217AR2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de FODM217A por onsemi e FODM217AR2 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro FODM217A FODM217AR2
Marca onsemi onsemi
Categoria Optocouplers Optocouplers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,31 $0,21
Channel Count 1 —
Input Type DC Sensing DC sensing
Tipo de saída Phototransistor —
Isolation Voltage (VISO) 3,750 VACrms 3750 Vrms (per UL 1577)
Encapsulamento 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch)
Número de pinos 4 —
Emitter Material Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED —
Detector Type Silicon Phototransistor —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +110 C —
Forward Voltage (VF) Typical 1.2 V at IF = 10 mA —
Reverse Voltage (VR) Maximum 6 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum 7 V —
Collector Current (IC) Maximum 50 mA —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Part Number — FODM217AR2
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Device Type — Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler
Configuração de saída — Transistor (phototransistor, single channel)
Number of Channels — 1
Tensão coletor-emissor (Vceo) — 80 V maximum
Corrente de coletor (Ic) — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — 1.2 V typical at IF=10 mA
VCE(SAT) — 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V
Response Time (tr / tf) — 4 us / 3 us typical
Temperatura de operação — -40 C to +110 C
UL Recognition — UL 1577 recognized (File E90700)
Nível MSL — 1 per IPC/JEDEC J-STD-020

Fichas técnicas e recursos

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