FODM217A vs FODM217AR2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de FODM217A par onsemi et FODM217AR2 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre FODM217A FODM217AR2
Marque onsemi onsemi
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,31 $0,21
Channel Count 1 —
Input Type DC Sensing DC sensing
Type de sortie Phototransistor —
Isolation Voltage (VISO) 3,750 VACrms 3750 Vrms (per UL 1577)
Boîtier 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch)
Nombre de broches 4 —
Emitter Material Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED —
Detector Type Silicon Phototransistor —
Plage de température de fonctionnement -40 C to +110 C —
Forward Voltage (VF) Typical 1.2 V at IF = 10 mA —
Reverse Voltage (VR) Maximum 6 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum 7 V —
Collector Current (IC) Maximum 50 mA —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Part Number — FODM217AR2
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Device Type — Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler
Configuration de sortie — Transistor (phototransistor, single channel)
Number of Channels — 1
Tension collecteur-émetteur (Vceo) — 80 V maximum
Courant de collecteur (Ic) — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — 1.2 V typical at IF=10 mA
VCE(SAT) — 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V
Response Time (tr / tf) — 4 us / 3 us typical
Température de fonctionnement — -40 C to +110 C
UL Recognition — UL 1577 recognized (File E90700)
Niveau MSL — 1 per IPC/JEDEC J-STD-020

Fiches techniques et ressources

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