FODM217A vs FODM217AR2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de FODM217A por onsemi y FODM217AR2 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro FODM217A FODM217AR2
Marca onsemi onsemi
Categoría Optocouplers Optocouplers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,31 $0,21
Channel Count 1 —
Input Type DC Sensing DC sensing
Tipo de salida Phototransistor —
Isolation Voltage (VISO) 3,750 VACrms 3750 Vrms (per UL 1577)
Encapsulado 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch)
Número de pines 4 —
Emitter Material Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED —
Detector Type Silicon Phototransistor —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +110 C —
Forward Voltage (VF) Typical 1.2 V at IF = 10 mA —
Reverse Voltage (VR) Maximum 6 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum 7 V —
Collector Current (IC) Maximum 50 mA —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Part Number — FODM217AR2
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Device Type — Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler
Configuración de salida — Transistor (phototransistor, single channel)
Number of Channels — 1
Tensión colector-emisor (Vceo) — 80 V maximum
Corriente de colector (Ic) — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — 1.2 V typical at IF=10 mA
VCE(SAT) — 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V
Response Time (tr / tf) — 4 us / 3 us typical
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +110 C
UL Recognition — UL 1577 recognized (File E90700)
Nivel MSL — 1 per IPC/JEDEC J-STD-020

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