FODM217A vs FODM217AR2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок FODM217A от onsemi и FODM217AR2 от onsemi. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр FODM217A FODM217AR2
Бренд onsemi onsemi
Категория Optocouplers Optocouplers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,31 $0,21
Channel Count 1 —
Input Type DC Sensing DC sensing
Тип выхода Phototransistor —
Isolation Voltage (VISO) 3,750 VACrms 3750 Vrms (per UL 1577)
Корпус 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch)
Количество выводов 4 —
Emitter Material Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED —
Detector Type Silicon Phototransistor —
Диапазон рабочих температур -40 C to +110 C —
Forward Voltage (VF) Typical 1.2 V at IF = 10 mA —
Reverse Voltage (VR) Maximum 6 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum 7 V —
Collector Current (IC) Maximum 50 mA —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Статус RoHS Compliant Compliant
Part Number — FODM217AR2
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Device Type — Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler
Выходная конфигурация — Transistor (phototransistor, single channel)
Number of Channels — 1
Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) — 80 V maximum
Ток коллектора (Ic) — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — 1.2 V typical at IF=10 mA
VCE(SAT) — 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V
Response Time (tr / tf) — 4 us / 3 us typical
Рабочая температура — -40 C to +110 C
UL Recognition — UL 1577 recognized (File E90700)
Уровень MSL — 1 per IPC/JEDEC J-STD-020

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену