FODM217A vs FODM217AR2 비교

다음의 상세 나란히 비교: FODM217A 제조: onsemi 및 FODM217AR2 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 FODM217A FODM217AR2
브랜드 onsemi onsemi
카테고리 Optocouplers Optocouplers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.31 $0.21
Channel Count 1 —
Input Type DC Sensing DC sensing
출력 유형 Phototransistor —
Isolation Voltage (VISO) 3,750 VACrms 3750 Vrms (per UL 1577)
패키지 4-SOP (Half-Pitch Mini-Flat) 4-SOP / MFP-4 (half-pitch mini-flat, 1.27 mm pitch)
핀 수 4 —
Emitter Material Gallium Arsenide (GaAs) Infrared LED —
Detector Type Silicon Phototransistor —
동작 온도 범위 -40 C to +110 C —
Forward Voltage (VF) Typical 1.2 V at IF = 10 mA —
Reverse Voltage (VR) Maximum 6 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) Maximum 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) Maximum 7 V —
Collector Current (IC) Maximum 50 mA —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Part Number — FODM217AR2
Manufacturer — onsemi (ON Semiconductor)
Device Type — Single-Channel DC-Sensing Phototransistor Optocoupler
출력 구성 — Transistor (phototransistor, single channel)
Number of Channels — 1
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) — 80 V maximum
컬렉터 전류 (Ic) — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — 1.2 V typical at IF=10 mA
VCE(SAT) — 0.4 V maximum at IC=2.4 mA, IF=8 mA
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V
Response Time (tr / tf) — 4 us / 3 us typical
동작 온도 — -40 C to +110 C
UL Recognition — UL 1577 recognized (File E90700)
MSL 레벨 — 1 per IPC/JEDEC J-STD-020

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