H58G56AK6QX032N vs H58G66CK8BX147N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H58G56AK6QX032N von SK hynix und H58G66CK8BX147N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H58G56AK6QX032N H58G66CK8BX147N
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $13,40 $34,60
Speichertyp LPDDR5 SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit (8 GB)
Speicherorganisation 512M x 64 x8 (single channel)
Datenrate 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
Gehäuse FBGA-315 315-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Schnittstelle — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

Datenblätter & Ressourcen

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