H58G56AK6QX032N vs H58G66CK8BX147N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H58G56AK6QX032N par SK hynix et H58G66CK8BX147N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H58G56AK6QX032N H58G66CK8BX147N
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $13,40 $34,60
Type de mémoire LPDDR5 SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit (8 GB)
Organisation de la mémoire 512M x 64 x8 (single channel)
Débit de données 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
Boîtier FBGA-315 315-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Interface — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

Fiches techniques et ressources

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