H58G56AK6QX032N vs H58G66CK8BX147N 비교
다음의 상세 나란히 비교: H58G56AK6QX032N 제조: SK hynix 및 H58G66CK8BX147N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H58G56AK6QX032N | H58G66CK8BX147N |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.40 | $34.60 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32Gb (4GB) | 64 Gbit (8 GB) |
| 메모리 구성 | 512M x 64 | x8 (single channel) |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps per pin | — |
| Bus Width | x16 (x64 variant per sourcing data) | — |
| Core Voltage (VDD) | 0.5 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Interface Voltage (VDD2) | 1.8 V / 1.05 V | — |
| 패키지 | FBGA-315 | 315-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Automotive | — |
| Applications | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules | — |
| Standard | JEDEC LPDDR5 | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Reflow/MSL Rating | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Maximum Data Rate | — | 8533 Mbps |
| Supply Voltage Domain | — | 0.5 V to 1.8 V |
| Core Voltage Class | — | 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) |
| Standard Compliance | — | JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) |
| 인터페이스 | — | LPDDR5/LPDDR5X protocol |
| Channel Configuration | — | Single channel (x8 or x16 capable family) |
| Power Management | — | Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) |
| Application Domain | — | Smartphone, AI edge, server-class mobile computing |
| Refresh Scheme | — | LPDDR5 per-bank / all-bank refresh |