H58G56AK6QX032N vs H58G66CK8BX147N Comparación

Comparación detallada lado a lado de H58G56AK6QX032N por SK hynix y H58G66CK8BX147N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H58G56AK6QX032N H58G66CK8BX147N
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $13,40 $34,60
Tipo de memoria LPDDR5 SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit (8 GB)
Organización de memoria 512M x 64 x8 (single channel)
Velocidad de datos 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
Encapsulado FBGA-315 315-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Maximum Data Rate — 8533 Mbps
Supply Voltage Domain — 0.5 V to 1.8 V
Core Voltage Class — 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class)
Standard Compliance — JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification)
Interfaz — LPDDR5/LPDDR5X protocol
Channel Configuration — Single channel (x8 or x16 capable family)
Power Management — Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ)
Application Domain — Smartphone, AI edge, server-class mobile computing
Refresh Scheme — LPDDR5 per-bank / all-bank refresh

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización