H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H58G56AK6QX032N von SK hynix und MT53E1G64D4HJ-046 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron
MT53E1G64D4HJ-046 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H58G56AK6QX032N | MT53E1G64D4HJ-046 |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $13,40 | $435,25 |
| Speichertyp | LPDDR5 SDRAM | Mobile LPDDR4X SDRAM |
| Density | 32Gb (4GB) | 64 Gbit |
| Speicherorganisation | 512M x 64 | 1G x 64 |
| Datenrate | 6400 Mbps per pin | — |
| Bus Width | x16 (x64 variant per sourcing data) | — |
| Core Voltage (VDD) | 0.5 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Interface Voltage (VDD2) | 1.8 V / 1.05 V | — |
| Gehäuse | FBGA-315 | 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Automotive | — |
| Applications | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules | — |
| Standard | JEDEC LPDDR5 | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -30C to +85C |
| Reflow/MSL Rating | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 2.133 GHz |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V / 1.8 V |
| Package Style | — | TFBGA, 556/841 ball, QDP |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| AEC-Q100 | — | Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) |