H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H58G56AK6QX032N par SK hynix et MT53E1G64D4HJ-046 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H58G56AK6QX032N MT53E1G64D4HJ-046
Marque SK hynix Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $13,40 $435,25
Type de mémoire LPDDR5 SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 64 1G x 64
Débit de données 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
Boîtier FBGA-315 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -30C to +85C
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Interface — Parallel
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
Tension d'alimentation — 1.1 V / 1.8 V
Package Style — TFBGA, 556/841 ball, QDP
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
AEC-Q100 — Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT)

Fiches techniques et ressources

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