H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 比較
詳細な並列比較: H58G56AK6QX032N メーカー: SK hynix および MT53E1G64D4HJ-046 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H58G56AK6QX032N | MT53E1G64D4HJ-046 |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $13.40 | $435.25 |
| メモリタイプ | LPDDR5 SDRAM | Mobile LPDDR4X SDRAM |
| Density | 32Gb (4GB) | 64 Gbit |
| メモリ構成 | 512M x 64 | 1G x 64 |
| データレート | 6400 Mbps per pin | — |
| Bus Width | x16 (x64 variant per sourcing data) | — |
| Core Voltage (VDD) | 0.5 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Interface Voltage (VDD2) | 1.8 V / 1.05 V | — |
| パッケージ | FBGA-315 | 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Automotive | — |
| Applications | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules | — |
| Standard | JEDEC LPDDR5 | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -30C to +85C |
| Reflow/MSL Rating | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| インターフェース | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 2.133 GHz |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| 電源電圧 | — | 1.1 V / 1.8 V |
| Package Style | — | TFBGA, 556/841 ball, QDP |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| AEC-Q100 | — | Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) |