H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 비교
다음의 상세 나란히 비교: H58G56AK6QX032N 제조: SK hynix 및 MT53E1G64D4HJ-046 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H58G56AK6QX032N | MT53E1G64D4HJ-046 |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $13.40 | $435.25 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | Mobile LPDDR4X SDRAM |
| Density | 32Gb (4GB) | 64 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 64 | 1G x 64 |
| 데이터 속도 | 6400 Mbps per pin | — |
| Bus Width | x16 (x64 variant per sourcing data) | — |
| Core Voltage (VDD) | 0.5 V | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Interface Voltage (VDD2) | 1.8 V / 1.05 V | — |
| 패키지 | FBGA-315 | 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Grade | Automotive | — |
| Applications | Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules | — |
| Standard | JEDEC LPDDR5 | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -30C to +85C |
| Reflow/MSL Rating | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 2.133 GHz |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| 공급 전압 | — | 1.1 V / 1.8 V |
| Package Style | — | TFBGA, 556/841 ball, QDP |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| AEC-Q100 | — | Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT) |