H58G56AK6QX032N vs MT53E1G64D4HJ-046 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H58G56AK6QX032N por SK hynix e MT53E1G64D4HJ-046 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT53E1G64D4HJ-046 MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 - 64Gbit LPDDR4X DRAM 2.133GHz | Micron

MT53E1G64D4HJ-046 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H58G56AK6QX032N MT53E1G64D4HJ-046
Marca SK hynix Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $13,40 $435,25
Tipo de memória LPDDR5 SDRAM Mobile LPDDR4X SDRAM
Density 32Gb (4GB) 64 Gbit
Organização da memória 512M x 64 1G x 64
Taxa de dados 6400 Mbps per pin —
Bus Width x16 (x64 variant per sourcing data) —
Core Voltage (VDD) 0.5 V —
I/O Voltage (VDDQ) 0.5 V —
Interface Voltage (VDD2) 1.8 V / 1.05 V —
Encapsulamento FBGA-315 556-WFBGA (12.4 x 12.4 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Grade Automotive —
Applications Data storage, firmware boot, embedded logging, industrial controllers, computing modules —
Standard JEDEC LPDDR5 —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -30C to +85C
Reflow/MSL Rating [DATA_NEEDED: MSL level] —
Interface — Parallel
Clock Frequency — 2.133 GHz
Access Time — 3.5 ns
Tensão de alimentação — 1.1 V / 1.8 V
Package Style — TFBGA, 556/841 ball, QDP
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
AEC-Q100 — Qualified (automotive variants AUT/AIT/AAT)

Fichas técnicas e recursos

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