H58G66CK8BX147N vs H58G46AK6QX033 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H58G66CK8BX147N von SK hynix und H58G46AK6QX033 von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H58G66CK8BX147N H58G46AK6QX033
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Mobile LPDDR4
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $34,60 $9,75
Speichertyp LPDDR5X SDRAM LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) 16Gb (2 GB)
Speicherorganisation x8 (single channel) x16
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
Gehäuse 315-ball FBGA —
Montageart Surface Mount Surface Mount (soldered BGA)
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
Schnittstelle LPDDR5/LPDDR5X protocol LPDDR5 (JEDEC)
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing Automotive ADAS, infotainment, industrial computing
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Datenrate — 6400 Mbps per pin
Peak Bandwidth — 12.8 GB/s (x16 channel)
Grade — Automotive
Versorgungsspannung — [DATA_NEEDED: core/I-O supply voltage]
Package Type — FBGA (ball grid array)
Ball Count — [DATA_NEEDED: package ball count]
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification level]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme]

Datenblätter & Ressourcen

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