H58G66CK8BX147N vs H58G46AK6QX033 비교

다음의 상세 나란히 비교: H58G66CK8BX147N 제조: SK hynix 및 H58G46AK6QX033 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H58G66CK8BX147N H58G46AK6QX033
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Mobile LPDDR4
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $34.60 $9.75
메모리 유형 LPDDR5X SDRAM LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) 16Gb (2 GB)
메모리 구성 x8 (single channel) x16
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
패키지 315-ball FBGA —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (soldered BGA)
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
인터페이스 LPDDR5/LPDDR5X protocol LPDDR5 (JEDEC)
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing Automotive ADAS, infotainment, industrial computing
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
데이터 속도 — 6400 Mbps per pin
Peak Bandwidth — 12.8 GB/s (x16 channel)
Grade — Automotive
공급 전압 — [DATA_NEEDED: core/I-O supply voltage]
Package Type — FBGA (ball grid array)
Ball Count — [DATA_NEEDED: package ball count]
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification level]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme]

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