H58G66CK8BX147N vs H58G46AK6QX033 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H58G66CK8BX147N par SK hynix et H58G46AK6QX033 par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H58G66CK8BX147N H58G46AK6QX033
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Mobile LPDDR4
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $34,60 $9,75
Type de mémoire LPDDR5X SDRAM LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) 16Gb (2 GB)
Organisation de la mémoire x8 (single channel) x16
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
Boîtier 315-ball FBGA —
Type de montage Surface Mount Surface Mount (soldered BGA)
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
Interface LPDDR5/LPDDR5X protocol LPDDR5 (JEDEC)
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing Automotive ADAS, infotainment, industrial computing
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Débit de données — 6400 Mbps per pin
Peak Bandwidth — 12.8 GB/s (x16 channel)
Grade — Automotive
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: core/I-O supply voltage]
Package Type — FBGA (ball grid array)
Ball Count — [DATA_NEEDED: package ball count]
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification level]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme]

Fiches techniques et ressources

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