H58G66CK8BX147N vs H58G46AK6QX033 Comparación

Comparación detallada lado a lado de H58G66CK8BX147N por SK hynix y H58G46AK6QX033 por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H58G66CK8BX147N H58G46AK6QX033
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Mobile LPDDR4
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $34,60 $9,75
Tipo de memoria LPDDR5X SDRAM LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) SDRAM
Density 64 Gbit (8 GB) 16Gb (2 GB)
Organización de memoria x8 (single channel) x16
Maximum Data Rate 8533 Mbps —
Supply Voltage Domain 0.5 V to 1.8 V —
Core Voltage Class 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) —
Encapsulado 315-ball FBGA —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (soldered BGA)
Standard Compliance JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) —
Interfaz LPDDR5/LPDDR5X protocol LPDDR5 (JEDEC)
Channel Configuration Single channel (x8 or x16 capable family) —
Power Management Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) —
Application Domain Smartphone, AI edge, server-class mobile computing Automotive ADAS, infotainment, industrial computing
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Scheme LPDDR5 per-bank / all-bank refresh —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
Velocidad de datos — 6400 Mbps per pin
Peak Bandwidth — 12.8 GB/s (x16 channel)
Grade — Automotive
Tensión de alimentación — [DATA_NEEDED: core/I-O supply voltage]
Package Type — FBGA (ball grid array)
Ball Count — [DATA_NEEDED: package ball count]
AEC-Q100 — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification level]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh scheme]

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