H5AN4G6NBJR-PBC vs K4A4G165WD-BCRC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G6NBJR-PBC von SK hynix und K4A4G165WD-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G6NBJR-PBC K4A4G165WD-BCRC
Marke SK hynix Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,60 $5,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (double data rate, synchronous) —
Package Code TFBGA —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Eigenschaften Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Density — 4 Gbit
Speed Bin — DDR4-2400 (BCRC)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Process Generation — Samsung D-die
Schnittstellentyp — DDR4 (double data rate, parallel)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS-Status — Lead free / RoHS Compliant
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern