H5AN4G6NBJR-PBC vs K4A4G165WD-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN4G6NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 K4A4G165WD-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN4G6NBJR-PBC | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.60 | $5.10 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 인터페이스 | DDR4 (double data rate, synchronous) | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96), rectangular | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 특징 | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Data Rate / Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | — |
| Process | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Temperature Grade | OTHER (per distributor listing) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| 인터페이스 유형 | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | Lead free / RoHS Compliant |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |