H5AN4G6NBJR-PBC vs K4A4G165WD-BCRC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G6NBJR-PBC por SK hynix e K4A4G165WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G6NBJR-PBC K4A4G165WD-BCRC
Marca SK hynix Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,60 $5,10
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Interface DDR4 (double data rate, synchronous) —
Package Code TFBGA —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96), rectangular FBGA-96
Number of Terminals 96 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Recursos Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Data Rate / Speed Grade [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] —
Process CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) —
Temperature Grade OTHER (per distributor listing) —
Density — 4 Gbit
Speed Bin — DDR4-2400 (BCRC)
Tensão de alimentação — 1.2 V
Process Generation — Samsung D-die
Tipo de interface — DDR4 (double data rate, parallel)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Status RoHS — Lead free / RoHS Compliant
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Fichas técnicas e recursos

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