H5AN4G6NBJR-PBC vs K4A4G165WD-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN4G6NBJR-PBC от SK hynix и K4A4G165WD-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN4G6NBJR-PBC | K4A4G165WD-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,60 | $5,10 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Интерфейс | DDR4 (double data rate, synchronous) | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Корпус | FBGA-96 (PBGA96), rectangular | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Особенности | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Data Rate / Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | — |
| Process | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Temperature Grade | OTHER (per distributor listing) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Speed Bin | — | DDR4-2400 (BCRC) |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Process Generation | — | Samsung D-die |
| Тип интерфейса | — | DDR4 (double data rate, parallel) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Статус RoHS | — | Lead free / RoHS Compliant |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: package dimensions] |