H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-PBC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-UHCR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-UHCR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,20 $3,18
Memory Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Schnittstellentyp Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free Yes Yes
Halogenfrei Yes Yes
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Density — 4 Gbit
Versorgungsspannung — 1.2 V (VDD)
Schnittstelle — DDR4 SSTL12
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
RoHS-Status — Compliant
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]

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