H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-PBC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-UHCR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,20 | $3,18 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Type d'interface | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | Yes |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V (VDD) |
| Interface | — | DDR4 SSTL12 |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |