H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-UHCR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-PBC H5AN4G8NBJR-UHCR
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,20 $3,18
Memory Density 4 Gbit —
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tipo de interface Parallel, JEDEC DDR4 —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Speed Grade PBC UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Clock Frequency [DATA_NEEDED: Clock Frequency] —
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Encapsulamento 78-ball FBGA 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Normal Operating Case Temperature 0C to 85C —
Extended Temperature Range up to 95C case (with increased refresh) Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free Yes Yes
Livre de halogênio Yes Yes
Refresh 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
Density — 4 Gbit
Tensão de alimentação — 1.2 V (VDD)
Interface — DDR4 SSTL12
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Status RoHS — Compliant
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]

Fichas técnicas e recursos

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