H5AN4G8NBJR-PBC vs H5AN4G8NBJR-UHCR Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-PBC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-UHCR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN4G8NBJR-PBC | H5AN4G8NBJR-UHCR |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,20 | $3,18 |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tipo de interfaz | Parallel, JEDEC DDR4 | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Speed Grade | PBC | UH (DDR4-2400 class, PC2400) |
| Clock Frequency | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder-down) |
| Normal Operating Case Temperature | 0C to 85C | — |
| Extended Temperature Range | up to 95C case (with increased refresh) | Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) |
| Lead Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| Refresh | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V (VDD) |
| Interfaz | — | DDR4 SSTL12 |
| Internal Prefetch | — | 8n |
| Operating Case Temperature | — | -40C to +85C (industrial range) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Packaging Suffix | — | -R = Tape and Reel |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] |