H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-RDC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-VKI von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKI
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $1,98
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Schnittstelle DDR4 (Double Data Rate IV) —
Gehäuse 78-ball FBGA FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Datenrate [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] Industrial (I suffix)
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Datenblätter & Ressourcen

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