H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-RDC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKI от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKI
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,95 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Интерфейс DDR4 (Double Data Rate IV) —
Корпус 78-ball FBGA FBGA-78
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Напряжение питания [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Скорость передачи данных [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] Industrial (I suffix)
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
Статус RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену