H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-RDC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKI par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN4G8NBJR-RDC | H5AN4G8NBJR-VKI |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $1,98 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate IV) | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | 1.2 V |
| Débit de données | [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] | 2666 Mbps |
| Bank Architecture | 8 banks with 4 bank groups (x8) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Temperature Grade | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Industrial (I suffix) |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | On-Die Termination (ODT) |
| Statut RoHS | Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Process Technology | CMOS | — |
| Manufacturer | SK hynix | — |
| Family Series | H5AN4G4/8/6NBJR | — |
| I/O Voltage | — | 1.2 V (SSTL12) |
| Speed Grade | — | V (2666) |
| Architecture | — | CMOS, 8n prefetch, bank groups |
| DBI Support | — | Yes (Data Bus Inversion / DM) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |