H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN4G8NBJR-RDC por SK hynix e H5AN4G8NBJR-VKI por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKI
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,95 $1,98
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organização da memória 512M x 8 512M x 8
Interface DDR4 (Double Data Rate IV) —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-78
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Tensão de alimentação [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
Taxa de dados [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] Industrial (I suffix)
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
Status RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

Fichas técnicas e recursos

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