H5AN4G8NBJR-RDC vs H5AN4G8NBJR-VKI 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-RDC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKI メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC - 4Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix | Main Memory

H5AN4G8NBJR-RDC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-RDC H5AN4G8NBJR-VKI
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.95 $1.98
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
インターフェース DDR4 (Double Data Rate IV) —
パッケージ 78-ball FBGA FBGA-78
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
電源電圧 [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] 1.2 V
データレート [DATA_NEEDED: speed grade Mbps] 2666 Mbps
Bank Architecture 8 banks with 4 bank groups (x8) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification]
Temperature Grade [DATA_NEEDED: operating temperature range] Industrial (I suffix)
Termination On-Die Termination (ODT) On-Die Termination (ODT)
RoHS ステータス Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant) [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Process Technology CMOS —
Manufacturer SK hynix —
Family Series H5AN4G4/8/6NBJR —
I/O Voltage — 1.2 V (SSTL12)
Speed Grade — V (2666)
Architecture — CMOS, 8n prefetch, bank groups
DBI Support — Yes (Data Bus Inversion / DM)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
動作温度 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]

データシート&リソース

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