H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKIR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN4G8NBJR-UHC von SK hynix und H5AN4G8NBJR-VKIR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Aktiv
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H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKIR
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $1,98
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Speicherorganisation 512M x 8 512M x 8
Datenrate 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps per pin
Versorgungsspannung 1.2 V —
Schnittstelle DDR4 (JEDEC) —
Gehäuse TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Lifecycle Code Active —
RoHS-Status Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

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