H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKIR Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN4G8NBJR-UHC от SK hynix и H5AN4G8NBJR-VKIR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Активен
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKIR
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,18 $1,98
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Организация памяти 512M x 8 512M x 8
Скорость передачи данных 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps per pin
Напряжение питания 1.2 V —
Интерфейс DDR4 (JEDEC) —
Корпус TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Lifecycle Code Active —
Статус RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену