H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKIR Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN4G8NBJR-UHC por SK hynix y H5AN4G8NBJR-VKIR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Activo
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKIR
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,18 $1,98
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organización de memoria 512M x 8 512M x 8
Velocidad de datos 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps per pin
Tensión de alimentación 1.2 V —
Interfaz DDR4 (JEDEC) —
Encapsulado TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Lifecycle Code Active —
Estado RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

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