H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKIR Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN4G8NBJR-UHC par SK hynix et H5AN4G8NBJR-VKIR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ Actif
SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKIR
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,18 $1,98
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organisation de la mémoire 512M x 8 512M x 8
Débit de données 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps per pin
Tension d'alimentation 1.2 V —
Interface DDR4 (JEDEC) —
Boîtier TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Lifecycle Code Active —
Statut RoHS Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

Fiches techniques et ressources

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