H5AN4G8NBJR-UHC vs H5AN4G8NBJR-VKIR 比較

詳細な並列比較: H5AN4G8NBJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN4G8NBJR-VKIR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ 生産中
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H5AN4G8NBJR-VKIR H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR - 4Gb DDR4 2666Mbps DRAM | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKIR ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-VKIR
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.18 $1.98
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 512M x 8 512M x 8
データレート 2400 Mbps (PC2400) 2666 Mbps per pin
電源電圧 1.2 V —
インターフェース DDR4 (JEDEC) —
パッケージ TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS DRAM CMOS DRAM
Lifecycle Code Active —
RoHS ステータス Compliant (Rohs Code: Yes) —
REACH Compliance Compliant —
Manufacturer SK Hynix Inc. —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CASレイテンシ [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] [DATA_NEEDED: refresh interval specification]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Industrial) — -40C to +85C (case)
Extended Temperature Range — +85C to +95C (case, per datasheet conditions)
Product Family — H5AN4G4/6/8NBJR series
Speed Grade Code — -VKI
Packing Suffix — R (Tape & Reel)
VPP Supply — [DATA_NEEDED: VPP supply voltage]
Package Dimensions — [DATA_NEEDED: package dimensions]

データシート&リソース

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