H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G4NAFR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,05 $5,74
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
Speichertyp DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 2G x4 512M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade UHC —
Schnittstelle Synchronous, dual rising/falling clock edges —
Clock Input Differential CK_t / CK_c —
Gehäuse 78-ball FBGA FBGA-96
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
RoHS-Status Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Family Variants H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Packaging [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] —
Versorgungsspannung — 1.2 V
Datenrate — 2400 MT/s
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
RoHS Compliant — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Datenblätter & Ressourcen

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