H5AN8G4NAFR-UHC vs H5AN8G6NAFR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G4NAFR-UHC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK Hynix

H5AN8G4NAFR-UHC ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | SK hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G4NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,05 $5,74
Manufacturer SK hynix (Hynix Semiconductor) —
Tipo de memória DDR4 SDRAM (CMOS) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organização da memória 2G x4 512M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Speed Grade UHC —
Interface Synchronous, dual rising/falling clock edges —
Clock Input Differential CK_t / CK_c —
Encapsulamento 78-ball FBGA FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +85°C
Status RoHS Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) —
Family Variants H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Datasheet Revision Rev. 1.2 (Jul. 2017), 45 pages —
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Packaging [DATA_NEEDED: reel / tray quantity] —
Tensão de alimentação — 1.2 V
Taxa de dados — 2400 MT/s
Number of Terminals — 96
Package Code — TFBGA
Lead-Free — Yes
Livre de halogênio — Yes
RoHS Compliant — Yes
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Refresh — Auto self-refresh

Fichas técnicas e recursos

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